上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 離子束可聚焦, 平行, 散射.
離子束流: >600 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000.
采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長, 更適合時間長的工藝要求. 提供高密度離子束, 滿足高工藝需求.
上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 離子束可聚焦, 平行, 散射.
離子束流: >600 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000.
采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長, 更適合時間長的工藝要求. 提供高密度離子束, 滿足高工藝需求.
離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝.
非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕工藝.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:
型號 | RFICP 140 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >600 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 14 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 5-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 24.6 cm |
直徑 | 24.6 cm |
中和器 | LFN 2000 |
伯東KRI 考夫曼離子源 RFICP 140 應用領域：
1.預清洗
2.表面改性
3.輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
4.濺鍍和蒸發鍍膜 PC
5.離子濺射沉積和多層結構 IBSD
6.離子蝕刻 IBE
